HY-933 Антыстатычны тамподрук сілікон ESD

HY-933 - гэта антыстатычны сілікон для тампадруку з дадатковым лячэннем, каталізаваны плацінай, з серыі HY-9 кампаніі HYC-Silicone. У адрозненне ад традыцыйных сіліконаў кандэнсацыйнага цвярдзення, гэты прадукт цвярдзее з дапамогай рэакцыі далучэння, каталізаванай плацінай, з звышнізкай усаджваннем (<0,1%) і высокай дакладнасцю памераў. Ён таксама забяспечвае стабільныя антыстатычныя характарыстыкі (павярхоўнае супраціўленне 10^8-10^10 Ом), што робіць яго абраным матэрыялам для тампадруку ў дакладнай электроніцы, паўправадніках і іншых галінах прамысловасці, адчувальных да ЭСР.

Для тампадрукарскіх майстэрняў, якія вырабляюць дакладныя электронныя кампаненты і паўправадніковыя вырабы, звычайныя кандэнсацыйныя сіліконы могуць назапашваць статычны зарад — патэнцыйна пашкоджваючы мікрасхемы або прыцягваючы пыл, што ўплывае на якасць друку. Антыстатычныя ўласцівасці HY-933 эфектыўна прадухіляюць гэтыя праблемы, робячы тампадрук больш стабільным і надзейным.

Асноўныя характарыстыкі

1. Антыстатычныя характарыстыкі: павярхоўны супраціў 10^8-10^10 Ом, эфектыўна прадухіляе назапашванне электрастатыкі, абараняе дакладныя кампаненты

2. Platinum System з дадатковым отверждением: усаджванне <0,1%, надзвычай высокая дакладнасць памераў, ідэальна падыходзіць для друку дробных узораў

3. Адсутнасць пабочных прадуктаў: ​​адсутнасць нізкамалекулярных пабочных прадуктаў падчас отвержденія, адсутнасць забруджвання друкаванай прадукцыі

4. Добрая тэрмаўстойлівасць: вытрымлівае больш высокія працоўныя тэмпературы, адаптуецца да розных вытворчых умоў

5. Выдатны адскок: Хуткае эластычнае аднаўленне, адсутнасць дэфармацыі пасля шматразовага націскання

6. Раўнамерны перанос чарнілаў: Стабільны перанос чарнілаў, выразныя і выразныя ўзоры

7. Экалагічна бяспечна: адпавядае RoHS і іншым экалагічным стандартам, падыходзіць для экспартнай прадукцыі

Тэхнічныя характарыстыкі

Знешні выгляд: светлы колер / напаўпразрыстая глейкая вадкасць

Сістэма отвержденія: дадатковае отверждение (плацінавы каталізатар)

Цвёрдасць: Шор А 20-25°

Антыстатычны ўзровень: павярхоўнае супраціўленне 10^8 ~ 10^10 Ом

Час працы: 30-60 хвілін

Першапачатковае отверждение: 2-4 гадзіны пры пакаёвай тэмпературы

Поўнае отверждение: 12-24 гадзіны пры пакаёвай тэмпературы (або 1 гадзіна пры 80°C)

Хуткасць ўсаджвання: <0,1%

Трываласць на разрыў: ≥ 20 кН/м

Прыкладанні

• Прэцызійны друк электронных кампанентаў — маркіроўка мікрасхем, друкаваных поплаткаў, раздымаў

• Друк паўправадніковых вырабаў — пласціны, упакоўка мікрасхем, святлодыёды

• Друк медыцынскай электронікі — карпусы медыцынскіх прыбораў, датчыкі

• Друк аўтамабільнай электронікі — аўтамабільныя клавіятуры, кампаненты прыборнай панэлі

• Прадукты высокага класа з адчувальнасцю да электрастатычнага разраду

Як выкарыстоўваць

1. Старанна змяшайце кампаненты A і B перад выкарыстаннем

2. Дакладна ўзважце часткі A і B у суадносінах 1:1

3. Старанна змяшаць (рэкамендуецца 2-3 хвіліны)

4. Дэгазаваць пад вакуумам 3-5 хвілін

5. Павольна вылівайце ў форму, каб пазбегнуць з'яўлення новых бурбалак

6. Вылечыць пры пакаёвай тэмпературы на працягу 12-24 гадзін або паскорыць пры тэмпературы 80°C на працягу 1 гадзіны

7. Выняць з формы і выкарыстоўваць пасля поўнага зацвярдзення

Заўвагі

• Сілікон дадатковай цвярдзення адчувальны да серы, волава і амінаў — пазбаўляйце працоўнае асяроддзе і інструменты ад гэтых забруджванняў, каб пазбегнуць інгібіравання цвярдзення

• Каб пазбегнуць перакрыжаванага забруджвання, выкарыстоўвайце асобныя прылады для ўзважвання для часткі A і часткі B

• Шчыльна зачыніце кантэйнеры пасля выкарыстання, каб прадухіліць заражэнне

• Для лепшай якасці рэкамендуецца працаваць у чыстым асяроддзі без пылу

Пра HYC-сілікон

Shenzhen Hongyejie Technology Co., Ltd. (HYC-Silicone) - нацыянальнае высокатэхналагічнае прадпрыемства з больш чым 20-гадовым вопытам даследаванняў і распрацовак і вытворчасці сілікону. Наш сілікон для тампадруку серыі HY-9 ахоплівае сістэмы як кандэнсацыі, так і сістэмы дадатковага отвержденія з 6 мадэлямі, задавальняючы патрэбы тампадруку ў розных галінах і ўзроўнях дакладнасці.