Сіліконавы гель з нізкімі стратамі для ўпакоўкі мікрасхем AI

На гэтым тыдні пастаўшчык спецыяльных сіліконавых матэрыялаў выпусціў сіліконавы гель з нізкімі дыэлектрычнымі стратамі, аптымізаваны для 2,5D і 3D удасканаленых паўправадніковых упаковак. Плацінавы гель мае звышнізкі каэфіцыент рассейвання, нізкае цеплавое пашырэнне і мяккія ўласцівасці паглынання напружання, распрацаваны для абароны памяці з высокай прапускной здольнасцю і вылічальных мікрасхем штучнага інтэлекту ад пашкоджанняў цеплавымі цыкламі. У адрозненне ад звычайнага электроннага заліўнога сілікону, гэты клас пазбягае перашкод сігналу на высокіх частотах ГГц, што з'яўляецца найважнейшым патрабаваннем для працэсараў цэнтра апрацоўкі дадзеных наступнага пакалення. Ён лёгка цячэ, запаўняючы мікрашчыліны без захопу паветра, і падтрымлівае стабільныя электрычныя характарыстыкі ад -55°C да 165°C. Раней вытворцы ўпакоўкі для паўправаднікоў змагаліся са стандартнымі сіліконавымі матэрыяламі, якія павялічвалі згасанне сігналу і выклікалі расслаенне пасля працяглых гадзін працы. У гэтай новай фармулёўцы выкарыстоўваюцца рафінаваныя лінейныя сіліконавыя палімеры без цяжкіх кластараў напаўняльніка, якія падтрымліваюць аўтаматызаваны дазатар і хуткае отвержденія пры пакаёвай тэмпературы. Прамысловыя пакупнікі з Азіі і Паўночнай Амерыкі пачынаюць кваліфікацыю ўзораў серверных чыпаў. Аналітыкі прагназуюць, што попыт на сілікон з нізкімі стратамі для ўдасканаленай упакоўкі будзе расці двухзначнымі лічбамі да 2027 года па меры пашырэння разгортвання сервераў штучнага інтэлекту.